Главная » 2016 » Май » 22 » Samsung показала 10-нм модуль памяти LPDDR4 DRAM объемом 6 ГБ
02:23:01
Samsung показала 10-нм модуль памяти LPDDR4 DRAM объемом 6 ГБ
В Шэньчжэне (Китай) состоялся ежегодный форум Samsung Mobile Solutions Forum 2016, посвященный обсуждению последних технологий и тенденций ближайшего будущего в полупроводниковой индустрии. На нем компания Samsung представлена 10-нм микросхему мобильной памяти LPDDR4 DRAM объемом 6 ГБ, которая с большой вероятностью будет использоваться в грядущем смартфоне Galaxy Note 6.

Если верить последним слухам, смартфон Galaxy Note 6 получит дисплей диагональю 5,8 дюйма, выполненный по технологии ‘Slim RGB’ AMOLED и SoC Snapdragon 823, дополненную 6 ГБ оперативной памяти. Есть вероятность, что Galaxy Note 6 будет оснащен сканером радужной оболочки глаза, который ранее пророчили другим флагманским моделям южнокорейской компании.

Судя по всему, у Galaxy Note 6 есть все шансы стать первым смартфоном в ассортименте Samsung, оснащенным 6 ГБ оперативной памяти LPDDR4. Вполне логичным было бы ожидать использование 6 ГБ ОЗУ в будущем Galaxy S8.

Модуль LPDDR4 DRAM объемом 6 ГБ, построенный по нормам 10-нанометрового технологического процесса, должен обеспечить более высокую производительность при сниженном по сравнению с предшественниками уровню энергопотребления, что должно крайне положительно сказаться на автономности грядущего флагмана. Ранее в сети появились сведения о том, что Samsung начала разработку прошивки для Galaxy Note 6, официальный дебют которого ожидается в августе этого года.
Категория: Память | Просмотров: 124 | Добавил: ingvarr | Рейтинг: 0.0/0

Всего комментариев: 0

avatar